MEM2303XG系列P溝道增強型場效應晶體管，高密度組織溝槽技術生產，特別是用于減少通態(tài)電阻。該器件特別適合低電壓應用，低功耗，低功耗的一個非常小的輪廓表面貼裝封裝。
● -30V/-4.2A
● RDS(ON)=55mΩ@VGS=-10V,ID=-4.2A
● RDS(ON)=62mΩ@VGS=-4.5V,ID=-4A
● RDS(ON) =72mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2.5A
● 超低電阻高密度電池設計
● 微型表面貼裝封裝：SOT23封裝
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